浙江奥首材料科技取得多晶硅蚀刻相关专利，解决以往蚀刻过程中的难题

天眼查知识产权信息显示，浙江奥首材料科技有限公司取得一项名为“一种异山梨醇基强碱性季铵碱，及包含其的多晶硅蚀刻液、其制备方法及应用“，授权公告号 CN118255779B，申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种异山梨醇基强碱性季铵碱，及包含其的多晶硅蚀刻液、其制备方法及应用。所述多晶硅蚀刻液，组分中包含异山梨醇基强碱性季铵碱，非离子表面活性剂和超纯水。本发明蚀刻液在多叠层蚀刻过程可保证多晶硅蚀刻均一性，与此同时在最佳蚀刻条件下，蚀刻液具有良好的使用寿命与稳定性，可在 3D 闪存芯片领域应用，用于解决以往蚀刻过程中底部多晶硅蚀刻深度与顶部不一致，蚀刻液浓度受温度影响变大问题。