IMEC将利用在半导体的成功 加快向光伏领域渗透

    为了使自己在半导体领域的领先技术得更充分应用，IMEC目前正在携其在半导体技术开发的成功模式——广泛合作，加快向太阳能光伏领域渗透。据悉，IMEC的PV研发计划涵盖工艺制造、建模以及纳米硅、有机光伏等4个最前沿技术领域。IMEC光伏业务总监Jef Poortmans表示，先进的半导体工艺、材料和设备能力，使IMEC拥有高效率硅电池制造工艺。

    低成本是永恒的主题，降低晶硅电池晶片厚度，是IMEC光伏技术研发首要考虑因素。IMEC的目标是到2010年晶片厚度由2008年的200μm降低到120μm，2015年要降到80μm，而到了2020年则要实现40μm的晶片厚度。IMEC光伏业务总监Jef Poortmans表示，创新的硅材料、硅外延和硅薄膜技术等也都会成为有效降低太阳能光伏成本的手段，IMEC就是要成为PV制造商、设备和材料供应商的交集点，从而达到加速创新（Accelerated innovation）的目的。Jef Poortmans透露，目前IMEC正在与包括Schott Solar, Total, Photovoltech, GDF-Suez在内的光伏制造商，和MEMC Electronic Materials, Mallinckrodt Baker, Leybold Optics, Roth and Rau, Semitool等设备材料商进行技术研发合作。

    削减n型半导体层厚度，通过提高蓝色波长利用率，从而实现提高转换效率。将单元表面的电极材料由Cu替代原来的Ag，通过采用比Ag廉价的Cu，可降低量产时的制造成本。Jef Poortmans表示，将通过不断改进i-PERC结构，最终开发出厚度仅为5μm的晶体硅太阳能电池。随着硅纳米线（Si－nanowires）的提出，EUV光刻、干法刻蚀（dry etching）等半导体制造技术向太阳能光伏领域拓展，太阳能光伏转换效率必将会有大幅提升。IMEC的目标是把硅基电池（Silicon photovoltaics）的转换效率提高15-20%，而在有机光伏（Organic photovoltaics）方面则要在高效、稳定前提下实现大规模应用。

    Jef Poortmans认为，在一些新兴市场和新的太阳能光电技术领域纳米技术可能发挥关键作用，但至少目前人们还面临着诸如纳米线的制造工艺、生长衬底选择、符合成本效益的外延沉积等难题的挑战。但纳米技术一定是PV实现Giga Watts应用的希望所在。